• Микросхема IRLB3813PBF
IRLB3813PBF — это мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET) производства компании Infineon Technologies (ранее International Rectifier), предназначенный для использования в сильноточных приложениях. Основные характеристики (на 2026 год): Тип транзистора: N-канал HEXFET.Максимальное напряжение сток-исток (\(V_{DS}\)): 30 В. Максимальный ток стока (\(I_{D}\)): 260 А (при температуре корпуса 25°C).Сопротивление в открытом состоянии (\(R_{DS(on)}\)): очень низкое, 1.95 мОм (миллиОм) при \(V_{GS}=10В\).Рассеиваемая мощность (\(P_{D}\)): До 230 Вт при температуре корпуса 25°C.Пороговое напряжение затвора: Типично 1.9 В. Корпус: TO-220AB (для монтажа в отверстия, обеспечивает хорошее теплоотведение).Особенность: Logic Level (логический уровень), что позволяет управлять им напрямую от микроконтроллеров с напряжением затвора от 4.5 В. Применение: Транзистор IRLB3813PBF является эталонным в своем классе и оптимизирован для высокоэффективных применений: Источники бесперебойного питания (ИБП) и инверторы. Высокочастотные изолированные DC-DC преобразователи. Синхронные выпрямители в телекоммуникационном и промышленном оборудовании. Электроинструменты.

Написать отзыв

Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Микросхема IRLB3813PBF

  • Модель: irlb3813pbf
  • Артикул: 2488
  • Наличие: Есть в наличии
  • 458₽


Доступные варианты


Рекомендуемые товары

Микросхема PM8921

Микросхема PM8921

Контроллер питания Samsung Galaxy S3 GT-i9300. Интегральная схема в герметичном корпусе. Доставка по..

1280₽