Описание
Отзывов (0)

Микросхема F59L1G81MA производства компании ESMT (Elite Semiconductor Memory Technology Inc.) представляет собой параллельную NAND Flash-память большой емкости.

Основные характеристики

Тип памяти: NAND Flash-память.

Емкость: 1 Гбит (гигабит), что эквивалентно 128 МБайт (организация 128M x 8 бит).

Напряжение питания: 3.3 В (диапазон от 2.7 В до 3.6 В).

Интерфейс: Параллельный, 8-битный.

Корпус: Чаще всего встречается в корпусе TSOP-48 (Thin Small Outline Package). Существуют также версии в корпусе BGA63.

Скорость: Суффикс "-25T" указывает на определенную скорость доступа, обычно 25 нс.

Применение

Данный тип памяти используется в устройствах, требующих хранения больших объемов данных (прошивок, мультимедийного контента, системных файлов):

Телевизоры: В качестве основной памяти (IC1102) в некоторых моделях, например, Samsung UE40J5000AU.

Медиаплееры: DVD-плееры, музыкальные центры.

Сетевое оборудование: Маршрутизаторы, модемы.

Аналоги и особенности

F59L1G81LA является функциональным аналогом и часто используется как взаимозаменяемая деталь, хотя может иметь немного другие рабочие параметры или диапазон напряжения.

F59L1G81MB — еще один вариант в линейке того же производителя.

При программировании чипов NAND Flash иногда возникают проблемы с "плохими блоками" (bad blocks), что требует использования программаторов с соответствующими функциями проверки и коррекции.